В МИЭТе разработали транзисторы для силовой электроники

Зеленоградский вуз в последние годы занимается освоением транзисторов второго типа – с более низким напряжением. Именно они сегодня наиболее востребованы на потребительском рынке.

Научная группа из 15-ти человек под руководством доцента кафедры квантовой физики и наноэлектроники Владимира Егоркина уже много лет занимается физическим моделированием в области силовой электроники, а последние три года разработкой специальных гетероструктурных соединений на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия и его гетероструктурных соединений на различных типах подложек.

«Нами были разработаны кристаллы транзисторов для высоковольтных применений во всем диапазоне. Сегодня эти кристаллы пока ждут своего обрамления в виде законченных транзисторных изделий, нужно провести еще ряд работ. Кроме того, в высоковольтной электронике существует разделение по типу транзисторов: нормально открытые и нормально закрытые, это определяется конструкцией исходных гетеросруктур. В МИЭТе одними из первых в России были смоделированы и изготовлены и те, и другие. Кроме того, на основе кремниевых низкотоковых высоковольтных транзисторов и нитрид галлиевых нормально открытых изготовлены гибридные сборки, которые показали характеристики не хуже, чем у импортных аналогов», – прокомментировал Владимир Егоркин.

Транзисторы такого типа могут быть использованы для изготовления бытовых приборов, источников питания разного типа, электромобилей и иных приборов в области преобразование электричества.